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GD25LQ32ENIGR 串行闪存 封装WSON8 蓝信伟业
GD25LQ32ENIGR 串行闪存 封装WSON8 蓝信伟业
GD25LQ32ENIGR  串行闪存  封装WSON8   蓝信伟业
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GD25LQ32ENIGR  串行闪存  封装WSON8   蓝信伟业
 
 
特征：
●兆易创新 GD25LQ 系列 32Mbit 低压 SPI NOR 闪存，支持单线 SPI、双线 SPI、四线 SPI、QPI 四种高速通信模式，最高时钟 133MHz。
●标准 1.8V 工作区间，供电 1.65V~2V，适配电池供电设备，待机功耗低，适合低功耗便携产品。
●支持读写暂停、擦除暂停功能，方便程序调试；配备硬件 WP 写保护、HOLD 控制引脚，搭配 OTP 一次性寄存器与唯一芯片 ID，固件防复制安全性高。
●8-USON（4×3mm）超小型贴片封装，带底部散热裸焊盘，PCB 占用面积小，适配紧凑型硬件布局，适配 SMT 量产贴装。
●擦写寿命充足，数据保存时间长，全流程符合 RoHS 环保规范，卷带出货适合大批量生产。
 
说明：
GD25LQ32ENIGR 为国产兆易创新 32Mbit（4MB）串行 NOR Flash，面向 1.8V 低压硬件平台设计，型号后缀 ENIGR 对应 8-USON 3×4mm 封装、工业温度、卷带包装。采用标准 SPI 架构，可存储主控固件、开机配置、字库参数；四线模式大幅提升读写速度，小封装适配空间紧张的电路板，可同封装同电压料脚位兼容替换。内部集成保护机制，降低固件误擦写风险，是穿戴、物联网常用低成本存储料。
 
参数：
●存储容量：32Mbit=4MB，架构 4M×8bit；页大小 256Byte，扇区 4KB，块 32KB/64KB
●供电电压：1.65V~2.0V，典型 1.8V 直流供电
●最大时钟频率：133MHz；四线 SPI 最高传输速率 532Mbps
●耐久与保存：典型擦写 10 万次，常温数据可靠保存≥20 年
●时序参数：页编程典型 2.4ms；32KB 扇区擦除 150ms，单字节写入 60μs
●功耗：工作最大电流 20mA，休眠待机电流典型 10μA
●温度等级：工业级 - 40℃~+85℃
 
应用场景：
●蓝牙耳机、智能手表手环、便携穿戴设备、低功耗物联网模块、小型便携仪器、超薄小家电主控固件存储。
 
GD25LQ32ENIGR  串行闪存  封装WSON8   蓝信伟业
 
 
特征：
●兆易创新 GD25LQ 系列 32Mbit 低压 SPI NOR 闪存，支持单线 SPI、双线 SPI、四线 SPI、QPI 四种高速通信模式，最高时钟 133MHz。
●标准 1.8V 工作区间，供电 1.65V~2V，适配电池供电设备，待机功耗低，适合低功耗便携产品。
●支持读写暂停、擦除暂停功能，方便程序调试；配备硬件 WP 写保护、HOLD 控制引脚，搭配 OTP 一次性寄存器与唯一芯片 ID，固件防复制安全性高。
●8-USON（4×3mm）超小型贴片封装，带底部散热裸焊盘，PCB 占用面积小，适配紧凑型硬件布局，适配 SMT 量产贴装。
●擦写寿命充足，数据保存时间长，全流程符合 RoHS 环保规范，卷带出货适合大批量生产。
 
说明：
GD25LQ32ENIGR 为国产兆易创新 32Mbit（4MB）串行 NOR Flash，面向 1.8V 低压硬件平台设计，型号后缀 ENIGR 对应 8-USON 3×4mm 封装、工业温度、卷带包装。采用标准 SPI 架构，可存储主控固件、开机配置、字库参数；四线模式大幅提升读写速度，小封装适配空间紧张的电路板，可同封装同电压料脚位兼容替换。内部集成保护机制，降低固件误擦写风险，是穿戴、物联网常用低成本存储料。
 
参数：
●存储容量：32Mbit=4MB，架构 4M×8bit；页大小 256Byte，扇区 4KB，块 32KB/64KB
●供电电压：1.65V~2.0V，典型 1.8V 直流供电
●最大时钟频率：133MHz；四线 SPI 最高传输速率 532Mbps
●耐久与保存：典型擦写 10 万次，常温数据可靠保存≥20 年
●时序参数：页编程典型 2.4ms；32KB 扇区擦除 150ms，单字节写入 60μs
●功耗：工作最大电流 20mA，休眠待机电流典型 10μA
●温度等级：工业级 - 40℃~+85℃
 
应用场景：
●蓝牙耳机、智能手表手环、便携穿戴设备、低功耗物联网模块、小型便携仪器、超薄小家电主控固件存储。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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