GD25LQ32DNIGR 串行闪存 封装WSON8 蓝信伟业
GD25LQ32DNIGR 串行闪存 封装WSON8 蓝信伟业
GD25LQ256D(256M位)串行闪存支持标准串行外围接口(SPI),并支持双/四SPI和QPI模式:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)和I/O3(保持#)。双I/O数据以240Mbits/s的速度传输,四I/O和四输出数据以480Mbits/s的速度传输。
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GD25LQ32DNIGR    串行闪存   封装WSON8   蓝信伟业
 
 
特征:
●兆易创新低电压 SPI NOR 闪存,容量 32Mbit(4MB),支持标准 SPI、双线 Dual SPI、四线 Quad SPI 三种通信模式,最高时钟 120MHz,读写速率高。
●窄压域低压工作,适配 1.65V~2V 供电,主打低功耗,静态待机电流仅 35μA,适合电池供电设备。
●多重防护机制:硬件写保护、软件区块写保护、写使能锁存,可防止固件误擦写,数据安全性高。
●工业级温度耐受,擦写寿命 10 万次,常温数据可保存 20 年,长期存储稳定性强。
●兼容主流 SPI Flash 驱动,可直接替换同规格低压 WINBOND、MXIC 型号。
 
 
 
说明:
属于非易失串行闪存,存储架构 4M×8bit,以 256 字节为一页,单页编程典型耗时 2.4ms;支持整片擦除、扇区擦除、块擦除。四线 SPI 可大幅提升固件烧录、高速读取速度。IO 支持双向复用,引脚定义通用常规 8 脚 SPI Flash,CS、CLK、DI/DO/QIO 共用引脚。LQ 系列专为 1.8V 低压平台设计,不兼容 3.3V 常规 Flash 电压体系。
 
 
参数:
●存储容量:32Mbit=4MB(4M×8)
●供电电压:1.65V~2V
●接口:SPI/Dual SPI/Quad SPI
●最高时钟:120MHz
●单页编程时间:2.4ms
●待机电流:35μA
●擦写寿命:最少 10 万次
 
应用场景:
●低电压单片机固件存储、便携穿戴设备、无线蓝牙 / WiFi 模块、锂电池供电便携硬件、小型物联网终端、手持仪器、低功耗传感器主板程序存储。
 
GD25LQ32DNIGR    串行闪存   封装WSON8   蓝信伟业
 
 
特征:
●兆易创新低电压 SPI NOR 闪存,容量 32Mbit(4MB),支持标准 SPI、双线 Dual SPI、四线 Quad SPI 三种通信模式,最高时钟 120MHz,读写速率高。
●窄压域低压工作,适配 1.65V~2V 供电,主打低功耗,静态待机电流仅 35μA,适合电池供电设备。
●多重防护机制:硬件写保护、软件区块写保护、写使能锁存,可防止固件误擦写,数据安全性高。
●工业级温度耐受,擦写寿命 10 万次,常温数据可保存 20 年,长期存储稳定性强。
●兼容主流 SPI Flash 驱动,可直接替换同规格低压 WINBOND、MXIC 型号。
 
 
 
说明:
属于非易失串行闪存,存储架构 4M×8bit,以 256 字节为一页,单页编程典型耗时 2.4ms;支持整片擦除、扇区擦除、块擦除。四线 SPI 可大幅提升固件烧录、高速读取速度。IO 支持双向复用,引脚定义通用常规 8 脚 SPI Flash,CS、CLK、DI/DO/QIO 共用引脚。LQ 系列专为 1.8V 低压平台设计,不兼容 3.3V 常规 Flash 电压体系。
 
 
参数:
●存储容量:32Mbit=4MB(4M×8)
●供电电压:1.65V~2V
●接口:SPI/Dual SPI/Quad SPI
●最高时钟:120MHz
●单页编程时间:2.4ms
●待机电流:35μA
●擦写寿命:最少 10 万次
 
应用场景:
●低电压单片机固件存储、便携穿戴设备、无线蓝牙 / WiFi 模块、锂电池供电便携硬件、小型物联网终端、手持仪器、低功耗传感器主板程序存储。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ:800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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