IRFS7434TRLPBF N 沟道 MOSFET 封装TO263 蓝信伟业
IRFS7434TRLPBF N 沟道 MOSFET 封装TO263 蓝信伟业
IRFS7434TRLPBF
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IRFS7434TRLPBF   N 沟道 MOSFET   封装TO263   蓝信伟业
 
特征:
●极致低内阻:RDS (on)=1.25mΩ(典型)/1.6mΩ(最大,VGS=10V),导通损耗极小
●超大电流能力:连续 ID=195A(封装限制,25℃)/320A(硅片极限),峰值 IDM=780A,承载能力极强
● 高耐温与可靠性:结温 - 55℃~175℃,全雪崩额定,抗冲击、抗干扰强
● 改良栅极与动态性能:栅极耐受、雪崩与 dv/dt 耐用性提升,适合硬开关与高频电路
●高功率密度:PD=294W(25℃),热阻 RθJC=0.41℃/W,散热效率高
 
说明:
IRFS7434TRLPBF 是英飞凌(原 IR)StrongIRFET™系列 40V 高性能 N 沟道 MOSFET,采用先进沟槽工艺,实现行业领先的低导通电阻与超大电流能力。40V 耐压、195A 连续电流、1.6mΩ 最大内阻,兼顾高效率与高可靠性,是 40V 电压等级工业大功率电源、重型电机驱动及新能源高功率应用的标杆型号。
 
参数:
●漏源击穿电压 VDSS:40V(极限)
●连续漏极电流 ID:195A(封装限制,25℃);320A(硅片极限);120A(100℃)
●峰值漏极电流 IDM:780A
●导通电阻 RDS (on):1.25mΩ(典型);1.6mΩ(最大,VGS=10V)
●栅极电压 VGS:±20V(极限);阈值 VGS (th)=2~3V
●总栅极电荷 Qg:324nC(典型,VGS=10V)
●最大耗散功率 PD:294W(25℃)
●热阻 RθJC:0.41℃/W(结到壳)
●工作温度 TJ:-55℃~175℃
 
应用场景:
●工业大功率电源:大功率 SMPS、UPS、PFC 校正、同步整流
●重型电机驱动:工业 DC 电机、电动工具、电动车(LEV)控制器
●新能源:太阳能逆变器、储能变流器、光伏汇流箱
●电池管理:BMS、大电流负载开关、电池保护板
●其他:高频大功率稳压器、动态 ORing 电路、硬开关高频系统
 
IRFS7434TRLPBF   N 沟道 MOSFET   封装TO263   蓝信伟业
 
特征:
●极致低内阻:RDS (on)=1.25mΩ(典型)/1.6mΩ(最大,VGS=10V),导通损耗极小
●超大电流能力:连续 ID=195A(封装限制,25℃)/320A(硅片极限),峰值 IDM=780A,承载能力极强
● 高耐温与可靠性:结温 - 55℃~175℃,全雪崩额定,抗冲击、抗干扰强
● 改良栅极与动态性能:栅极耐受、雪崩与 dv/dt 耐用性提升,适合硬开关与高频电路
●高功率密度:PD=294W(25℃),热阻 RθJC=0.41℃/W,散热效率高
 
说明:
IRFS7434TRLPBF 是英飞凌(原 IR)StrongIRFET™系列 40V 高性能 N 沟道 MOSFET,采用先进沟槽工艺,实现行业领先的低导通电阻与超大电流能力。40V 耐压、195A 连续电流、1.6mΩ 最大内阻,兼顾高效率与高可靠性,是 40V 电压等级工业大功率电源、重型电机驱动及新能源高功率应用的标杆型号。
 
参数:
●漏源击穿电压 VDSS:40V(极限)
●连续漏极电流 ID:195A(封装限制,25℃);320A(硅片极限);120A(100℃)
●峰值漏极电流 IDM:780A
●导通电阻 RDS (on):1.25mΩ(典型);1.6mΩ(最大,VGS=10V)
●栅极电压 VGS:±20V(极限);阈值 VGS (th)=2~3V
●总栅极电荷 Qg:324nC(典型,VGS=10V)
●最大耗散功率 PD:294W(25℃)
●热阻 RθJC:0.41℃/W(结到壳)
●工作温度 TJ:-55℃~175℃
 
应用场景:
●工业大功率电源:大功率 SMPS、UPS、PFC 校正、同步整流
●重型电机驱动:工业 DC 电机、电动工具、电动车(LEV)控制器
●新能源:太阳能逆变器、储能变流器、光伏汇流箱
●电池管理:BMS、大电流负载开关、电池保护板
●其他:高频大功率稳压器、动态 ORing 电路、硬开关高频系统
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ:800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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