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IRFR3607TRPBF N 沟道功率 MOSFET 封装TO252-2 蓝信伟业
IRFR3607TRPBF N 沟道功率 MOSFET 封装TO252-2 蓝信伟业
IRFR3607TRPBF
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IRFR3607TRPBF    N 沟道功率 MOSFET   封装TO252-2    蓝信伟业
 
特征：
●低导通电阻：典型 7.34mΩ，最大 9mΩ，发热小、效率高。
●高电流能力：连续 56A（封装限制）/80A（硅片限制），带载强。
●高耐压：VDS=75V，适配 12V/24V/48V 系统。
●低栅极电荷：Qg=56nC，开关速度快、驱动损耗低。
 
说明：
IRFR3607TRPBF 是英飞凌（原 IR）HEXFET® 系列平面工艺 N 沟道 MOSFET，专为中压、大电流、高效率应用设计。TO-252 封装兼顾功率密度与成本，低 RDS (on) 与低 Qg 组合，在开关电源、电机驱动、电池管理中表现优异；增强型体二极管与完善的 SOA 确保恶劣工况稳定，是 75V 级别贴片 MOSFET 的主流选择。
 
参数：
●VDS（漏源电压）：75V
●ID（连续漏极电流）：56A（Tc=25℃）
●RDS (on)（导通电阻）：7.34mΩ（典型），9mΩ（最大）@VGS=10V
●VGS（栅源电压）：±20V（最大）
●VGS (th)（阈值电压）：2～4V
●Qg（栅极电荷）：56nC（典型）
●Pd（最大功耗）：140W（Tc=25℃）
●工作温度：-55℃～+175℃
 
应用场景：
●开关电源（SMPS）：同步整流、DC-DC 降压 / 升压模块、适配器。
●电机驱动：有刷 / 无刷电机 H 桥、工业 / 车载电机控制。
●电池管理：锂电池保护板、大电流负载开关、充放电控制。
●工业与通信：UPS、逆变器、PLC 电源、48V 通信电源。
●车载电子：12V/24V 系统负载开关、LED 驱动、新能源辅助电源。
 
IRFR3607TRPBF    N 沟道功率 MOSFET   封装TO252-2    蓝信伟业
 
特征：
●低导通电阻：典型 7.34mΩ，最大 9mΩ，发热小、效率高。
●高电流能力：连续 56A（封装限制）/80A（硅片限制），带载强。
●高耐压：VDS=75V，适配 12V/24V/48V 系统。
●低栅极电荷：Qg=56nC，开关速度快、驱动损耗低。
 
说明：
IRFR3607TRPBF 是英飞凌（原 IR）HEXFET® 系列平面工艺 N 沟道 MOSFET，专为中压、大电流、高效率应用设计。TO-252 封装兼顾功率密度与成本，低 RDS (on) 与低 Qg 组合，在开关电源、电机驱动、电池管理中表现优异；增强型体二极管与完善的 SOA 确保恶劣工况稳定，是 75V 级别贴片 MOSFET 的主流选择。
 
参数：
●VDS（漏源电压）：75V
●ID（连续漏极电流）：56A（Tc=25℃）
●RDS (on)（导通电阻）：7.34mΩ（典型），9mΩ（最大）@VGS=10V
●VGS（栅源电压）：±20V（最大）
●VGS (th)（阈值电压）：2～4V
●Qg（栅极电荷）：56nC（典型）
●Pd（最大功耗）：140W（Tc=25℃）
●工作温度：-55℃～+175℃
 
应用场景：
●开关电源（SMPS）：同步整流、DC-DC 降压 / 升压模块、适配器。
●电机驱动：有刷 / 无刷电机 H 桥、工业 / 车载电机控制。
●电池管理：锂电池保护板、大电流负载开关、充放电控制。
●工业与通信：UPS、逆变器、PLC 电源、48V 通信电源。
●车载电子：12V/24V 系统负载开关、LED 驱动、新能源辅助电源。
 
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