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IRF1404PBF N 沟道功率 MOSFET 封装TO220 蓝信伟业
IRF1404PBF N 沟道功率 MOSFET 封装TO220 蓝信伟业
IRF1404PBF
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IRF1404PBF   N 沟道功率 MOSFET    封装TO220   蓝信伟业
 
特征：
●超低导通电阻：RDS (on)=4mΩ（典型值，VGS=10V），导通损耗极小，效率高
● 超大电流能力：连续漏极电流 ID=162A，峰值 IDM=202A，承载大电流无压力
● 高开关速度：开关速度快（td (on)=17ns），输入电容低（Ciss=5669pF），适合高频应用
●高耐温与可靠性：结温范围 - 55℃~175℃，支持 175℃高温工作；全雪崩额定，抗冲击能力强
●动态 dv/dt 耐受：适配严苛开关环境，抑制尖峰电压，提升系统稳定性
 
说明：
IRF1404PBF 是英飞凌（原 IR）第七代 HEXFET® 系列高性能 N 沟道功率 MOSFET，采用先进硅工艺，实现极低导通电阻与高功率密度。40V 耐压、162A 大电流、4mΩ 低内阻，兼顾高效率与高可靠性，是 40V 电压等级大功率开关与电源转换的经典型号，广泛用于工业、汽车及消费电子领域。
 
参数：
●漏源击穿电压 VDSS：40V（极限）
●连续漏极电流 ID：162A（25℃）；峰值 IDM=202A
●导通电阻 RDS (on)：4mΩ（VGS=10V，典型值）
●栅极电压 VGS：±20V（极限）；阈值 VGS (th)=2~4V
●总栅极电荷 Qg：131nC（典型值）；196nC（最大值）
●最大耗散功率 PD：333W（25℃）
●热阻 RθJC：0.75℃/W（结到壳）
●工作温度 TJ：-55℃~175℃
 
应用场景：
●工业电源：大功率 DC-DC 转换器、UPS 不间断电源、开关电源次级同步整流
●电机驱动：直流有刷 / 无刷电机控制器、伺服驱动器、电动车 / 电动工具电机控制
●汽车电子：汽车照明、车载电源、电池管理系统（BMS）、启动 / 发电系统
●其他：大功率负载开关、电池保护板、太阳能逆变器、音频功率放大电路
 
IRF1404PBF   N 沟道功率 MOSFET    封装TO220   蓝信伟业
 
特征：
●超低导通电阻：RDS (on)=4mΩ（典型值，VGS=10V），导通损耗极小，效率高
● 超大电流能力：连续漏极电流 ID=162A，峰值 IDM=202A，承载大电流无压力
● 高开关速度：开关速度快（td (on)=17ns），输入电容低（Ciss=5669pF），适合高频应用
●高耐温与可靠性：结温范围 - 55℃~175℃，支持 175℃高温工作；全雪崩额定，抗冲击能力强
●动态 dv/dt 耐受：适配严苛开关环境，抑制尖峰电压，提升系统稳定性
 
说明：
IRF1404PBF 是英飞凌（原 IR）第七代 HEXFET® 系列高性能 N 沟道功率 MOSFET，采用先进硅工艺，实现极低导通电阻与高功率密度。40V 耐压、162A 大电流、4mΩ 低内阻，兼顾高效率与高可靠性，是 40V 电压等级大功率开关与电源转换的经典型号，广泛用于工业、汽车及消费电子领域。
 
参数：
●漏源击穿电压 VDSS：40V（极限）
●连续漏极电流 ID：162A（25℃）；峰值 IDM=202A
●导通电阻 RDS (on)：4mΩ（VGS=10V，典型值）
●栅极电压 VGS：±20V（极限）；阈值 VGS (th)=2~4V
●总栅极电荷 Qg：131nC（典型值）；196nC（最大值）
●最大耗散功率 PD：333W（25℃）
●热阻 RθJC：0.75℃/W（结到壳）
●工作温度 TJ：-55℃~175℃
 
应用场景：
●工业电源：大功率 DC-DC 转换器、UPS 不间断电源、开关电源次级同步整流
●电机驱动：直流有刷 / 无刷电机控制器、伺服驱动器、电动车 / 电动工具电机控制
●汽车电子：汽车照明、车载电源、电池管理系统（BMS）、启动 / 发电系统
●其他：大功率负载开关、电池保护板、太阳能逆变器、音频功率放大电路
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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