热销产品
查看更多 >>
首页产品大全INFINEON/英飞凌/IR
IRF640NSTRLPBF N 沟道贴片功率 MOSFET 封装TO263 蓝信伟业
IRF640NSTRLPBF N 沟道贴片功率 MOSFET 封装TO263 蓝信伟业
IRF640NSTRLPBF
价格: ￥5.500 - ￥6.500
库存: 5000
积分: 0
数量：
数量 单价 折扣
1-49 ￥6.50 ￥0
50-99 ￥6.00 ￥0.5
>=100 ￥5.50 ￥1
        
详细介绍
商品属性
售后服务
评价信息(0)
商品咨询
IRF640NSTRLPBF   N 沟道贴片功率 MOSFET    封装TO263   蓝信伟业
 
特征：
●中等耐压低内阻：VDSS=200V，RDS (on)=150mΩ（VGS=10V），兼顾耐压与导通损耗
●大电流能力：连续 ID=18A（25℃），峰值 IDM=72A，承载能力强
● 高开关速度：td (on)=10ns、td (off)=23ns，适合高频应用
● 高耐温与可靠性：结温 - 55℃~175℃，全雪崩额定，抗冲击强
● 低栅极电荷：Qg=67nC，驱动损耗小，适配高频场景
 
说明：
IRF640NSTRLPBF 是英飞凌（原 IR）HEXFET® 系列200V N 沟道贴片功率 MOSFET，采用先进硅工艺，实现中等耐压、低导通电阻与高开关速度。200V 耐压、18A 大电流、150mΩ 内阻，兼顾效率与可靠性，是 200V 电压等级工业电源、电机驱动及消费电子高功率应用的常用型号。
 
参数：
●漏源击穿电压 VDSS：200V（极限）
●连续漏极电流 ID：18A（25℃）；12A（100℃）
●峰值漏极电流 IDM：72A
●导通电阻 RDS (on)：150mΩ（VGS=10V，最大值）
●栅极电压 VGS：±20V（极限）；阈值 VGS (th)=2~4V
●总栅极电荷 Qg：67nC（典型值，VGS=10V）
●最大耗散功率 PD：150W（25℃）
●热阻 RθJC：1.0℃/W（结到壳）
●工作温度 TJ：-55℃~175℃
 
应用场景：
●工业电源：离线式开关电源、DC-DC 转换器、UPS、PFC 校正电路
●电机驱动：中小功率直流电机控制器、伺服驱动器、工业传动设备
●消费电子：大功率 LED 驱动、音频功率放大、适配器、充电器
●新能源：小型太阳能逆变器、光伏微逆变器、储能模块
●其他：高压负载开关、电池保护板、高频稳压电路
 
IRF640NSTRLPBF   N 沟道贴片功率 MOSFET    封装TO263   蓝信伟业
 
特征：
●中等耐压低内阻：VDSS=200V，RDS (on)=150mΩ（VGS=10V），兼顾耐压与导通损耗
●大电流能力：连续 ID=18A（25℃），峰值 IDM=72A，承载能力强
● 高开关速度：td (on)=10ns、td (off)=23ns，适合高频应用
● 高耐温与可靠性：结温 - 55℃~175℃，全雪崩额定，抗冲击强
● 低栅极电荷：Qg=67nC，驱动损耗小，适配高频场景
 
说明：
IRF640NSTRLPBF 是英飞凌（原 IR）HEXFET® 系列200V N 沟道贴片功率 MOSFET，采用先进硅工艺，实现中等耐压、低导通电阻与高开关速度。200V 耐压、18A 大电流、150mΩ 内阻，兼顾效率与可靠性，是 200V 电压等级工业电源、电机驱动及消费电子高功率应用的常用型号。
 
参数：
●漏源击穿电压 VDSS：200V（极限）
●连续漏极电流 ID：18A（25℃）；12A（100℃）
●峰值漏极电流 IDM：72A
●导通电阻 RDS (on)：150mΩ（VGS=10V，最大值）
●栅极电压 VGS：±20V（极限）；阈值 VGS (th)=2~4V
●总栅极电荷 Qg：67nC（典型值，VGS=10V）
●最大耗散功率 PD：150W（25℃）
●热阻 RθJC：1.0℃/W（结到壳）
●工作温度 TJ：-55℃~175℃
 
应用场景：
●工业电源：离线式开关电源、DC-DC 转换器、UPS、PFC 校正电路
●电机驱动：中小功率直流电机控制器、伺服驱动器、工业传动设备
●消费电子：大功率 LED 驱动、音频功率放大、适配器、充电器
●新能源：小型太阳能逆变器、光伏微逆变器、储能模块
●其他：高压负载开关、电池保护板、高频稳压电路
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
用微信扫一扫二维码，即可自动储存联系方式！  
为您推荐