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BSZ0901NS N 沟道功率 MOSFET 封装QFP240 蓝信伟业
BSZ0901NS N 沟道功率 MOSFET 封装QFP240 蓝信伟业
BSZ0901NS
价格: ￥7.000 - ￥8.000
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BSZ0901NS    N 沟道 MOSFET  封装SON8   蓝信伟业
 
特征：
●超低导通电阻：RDS (on)=2.0mΩ（@10V）、2.6mΩ（@4.5V，最大）
●极低栅极电荷：Qg=41nC（@10V）、20nC（@4.5V，典型），高频损耗小
●高频优化 FOM：低 FOMsw/FOMqoss，适合 1MHz + 高频 SMPS
●逻辑电平驱动：VGS=4.5V 可完全导通，适配低压控制 IC
●高可靠性：100% 雪崩测试、卓越热阻抗、RoHS / 无卤素合规
 
说明：
BSZ0901NS 是英飞凌 OptiMOS™ 30V 系列高性能 N 沟道 MOSFET，专为服务器、显卡、笔记本等高性能降压转换器（Buck）优化。采用先进沟槽工艺，在 3.3×3.3mm 小封装内实现超低 RDS (on) 与低 Qg，兼顾高效率、高功率密度与低 EMI，是低压大电流高频应用的理想选择。
 
参数：
●极性 / 耐压：N 沟道，VDS=30V（最大）
●连续漏极电流：ID=40A（TC=25℃）
●导通电阻：RDS (on)=2.0mΩ（@VGS=10V）、2.6mΩ（@VGS=4.5V，最大）
●栅极电荷：Qg=41nC（@VGS=10V）、20nC（@VGS=4.5V，典型）
●栅源电压：VGS=±20V（最大）
●功耗：PD=50W（TC=25℃）
●温度范围：TJ=-55℃～150℃
●阈值电压：VGS(th)=1.0～2.2V
 
应用场景：
●服务器 / 显卡：高性能 VRM/Buck 转换器（12V 转 5V/3.3V/1.8V）
●笔记本 / 主板：DC-DC 降压、电池管理、负载开关
●高频开关电源：1MHz + 同步整流、LED 驱动、电机控制
●其他：车载充电、工业电源、低压大电流负载切换
 
BSZ0901NS    N 沟道功率 MOSFET  封装QFP240   蓝信伟业
 
特征：
●超低导通电阻：RDS (on)=2.0mΩ（@10V）、2.6mΩ（@4.5V，最大）
●极低栅极电荷：Qg=41nC（@10V）、20nC（@4.5V，典型），高频损耗小
●高频优化 FOM：低 FOMsw/FOMqoss，适合 1MHz + 高频 SMPS
●逻辑电平驱动：VGS=4.5V 可完全导通，适配低压控制 IC
●高可靠性：100% 雪崩测试、卓越热阻抗、RoHS / 无卤素合规
 
说明：
BSZ0901NS 是英飞凌 OptiMOS™ 30V 系列高性能 N 沟道 MOSFET，专为服务器、显卡、笔记本等高性能降压转换器（Buck）优化。采用先进沟槽工艺，在 3.3×3.3mm 小封装内实现超低 RDS (on) 与低 Qg，兼顾高效率、高功率密度与低 EMI，是低压大电流高频应用的理想选择。
 
参数：
●极性 / 耐压：N 沟道，VDS=30V（最大）
●连续漏极电流：ID=40A（TC=25℃）
●导通电阻：RDS (on)=2.0mΩ（@VGS=10V）、2.6mΩ（@VGS=4.5V，最大）
●栅极电荷：Qg=41nC（@VGS=10V）、20nC（@VGS=4.5V，典型）
●栅源电压：VGS=±20V（最大）
●功耗：PD=50W（TC=25℃）
●温度范围：TJ=-55℃～150℃
●阈值电压：VGS(th)=1.0～2.2V
 
应用场景：
●服务器 / 显卡：高性能 VRM/Buck 转换器（12V 转 5V/3.3V/1.8V）
●笔记本 / 主板：DC-DC 降压、电池管理、负载开关
●高频开关电源：1MHz + 同步整流、LED 驱动、电机控制
●其他：车载充电、工业电源、低压大电流负载切换
 
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