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MM74HC245AWM
MM74HC245AWM
MM74HC245AWM
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MM74HC245AWM 的特性
■ 典型传播延迟：13纳秒
■ 宽电源范围：2-6V
■ 低静态电流：最大80μA（74 HC）
■ 连接到总线导向系统的3态输出
■ 高输出驱动：6 mA（最小值）
■ 与645相同
MM74HC245AWM 的说明
MM74HC245A三态双向缓冲器采用先进的硅栅CMOS技术，用于数据总线之间的双向异步通信。它具有高驱动电流输出，即使在驱动大总线电容时也能实现高速运行。该电路具有通常与CMOS电路相关的低功耗和高抗噪性，但其速度与低功率肖特基TTL电路相当。该设备具有激活的低启用输入G#和方向控制输入DIR。当DIR为高时，数据从a输入流到B输出。当DIR为低时，数据从B输入流到A输出。MM74HC245A将真实数据从一条总线传输到另一条总线。该设备可以驱动多达15个LS-TTL负载，并且没有施密特触发器输入。保护所有输入免受二极管对V CC和接地的静电放电造成的损坏。
MM74HC245AWM 的特性
■ 典型传播延迟：13纳秒
■ 宽电源范围：2-6V
■ 低静态电流：最大80μA（74 HC）
■ 连接到总线导向系统的3态输出
■ 高输出驱动：6 mA（最小值）
■ 与645相同
MM74HC245AWM 的说明
MM74HC245A三态双向缓冲器采用先进的硅栅CMOS技术，用于数据总线之间的双向异步通信。它具有高驱动电流输出，即使在驱动大总线电容时也能实现高速运行。该电路具有通常与CMOS电路相关的低功耗和高抗噪性，但其速度与低功率肖特基TTL电路相当。该设备具有激活的低启用输入G#和方向控制输入DIR。当DIR为高时，数据从a输入流到B输出。当DIR为低时，数据从B输入流到A输出。MM74HC245A将真实数据从一条总线传输到另一条总线。该设备可以驱动多达15个LS-TTL负载，并且没有施密特触发器输入。保护所有输入免受二极管对V CC和接地的静电放电造成的损坏。
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
用微信扫一扫二维码，即可自动储存联系方式！
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