GD32F103RBT6
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■GD32F103RBT6 说明 
GD32F103xx设备是基于ARM®Cortex的32位通用微控制器™-M3 RISC核心在处理能力、降低功耗和外围设备方面具有最佳比率。皮层™-M3是下一代处理器核心,它与嵌套向量中断控制器(NVIC)、SysTick定时器和高级调试支持紧密耦合。
GD32F103xx设备集成了ARM®Cortex™-M3 32位处理器内核,在108MHz频率下工作,闪存访问零等待状态,以获得最大效率。它提供高达3 MB的片上闪存和高达96 KB的SRAM内存。连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外围设备。这些设备提供多达三个12位ADC、最多两个12位DAC、最多十个通用16位定时器、两个基本定时器和两个PWM高级定时器,以及标准和高级通信接口:最多三个SPI、两个I2C、三个USART、两个UART、两个I2S、一个USBD、一个CAN和一个SDIO。
该设备的工作电压为2.6至3.6伏,温度范围为-40至+85摄氏度。几种节能模式为唤醒延迟和功耗之间的最大优化提供了灵活性,在低功耗应用中尤其重要。
■GD32F103RBT6 说明 
GD32F103xx设备是基于ARM®Cortex的32位通用微控制器™-M3 RISC核心在处理能力、降低功耗和外围设备方面具有最佳比率。皮层™-M3是下一代处理器核心,它与嵌套向量中断控制器(NVIC)、SysTick定时器和高级调试支持紧密耦合。
GD32F103xx设备集成了ARM®Cortex™-M3 32位处理器内核,在108MHz频率下工作,闪存访问零等待状态,以获得最大效率。它提供高达3 MB的片上闪存和高达96 KB的SRAM内存。连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外围设备。这些设备提供多达三个12位ADC、最多两个12位DAC、最多十个通用16位定时器、两个基本定时器和两个PWM高级定时器,以及标准和高级通信接口:最多三个SPI、两个I2C、三个USART、两个UART、两个I2S、一个USBD、一个CAN和一个SDIO。
该设备的工作电压为2.6至3.6伏,温度范围为-40至+85摄氏度。几种节能模式为唤醒延迟和功耗之间的最大优化提供了灵活性,在低功耗应用中尤其重要。
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