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FQP6N90C 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，900 V，6 A，2.3 Ω，TO-220
FQP6N90C 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，900 V，6 A，2.3 Ω，TO-220
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
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FQP6N90C特征
●6A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3A栅极电荷低（典型值：30nC)
●低 Crss（典型值11pF)
●100% 经过雪崩击穿测试"
●100% avalanche tested
 
FQP6N90C说明
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
 
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