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HY3810P 高耐压的功率MOSFET TO220 蓝信伟业
HY3810P 高耐压的功率MOSFET TO220 蓝信伟业
HY3810P 高耐压的功率MOSFET TO220 蓝信伟业
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HY3810P特征
●由华羿微生产的 N 沟道 MOSFET，
●采用 TO-220FB 封装，
●具有高电流处理能力和较高的耐压值，符合 RoHS 标准。
 
HY3810P概述：
这是一款大电流、高耐压的功率 MOSFET，能够在高功率电路中实现高效的电源开关控制，具备良好的电气性能和热稳定性。
 
HY3810P基本参数：
●漏源电压（Vdss）为 100V，
●连续漏极电流（Id）可达 180A。
●在 VGS=10V、ID=90A 条件下，
●导通电阻（RDS (on)）典型值为 6.5mΩ，
●耗散功率（Pd）为 346W，
●阈值电压（Vgs (th)）为 4V，
●反向传输电容（Crss）在 25V 时为 631pF。
 
应用场景：
▲主要用于功率开关应用，如不间断电源（UPS）、电机控制电路、电动车控制器等，也可用于其他需要大电流控制和高耐压能力的电源相关电路中。
 
HY3810P特征
●由华羿微生产的 N 沟道 MOSFET，
●采用 TO-220FB 封装，
●具有高电流处理能力和较高的耐压值，符合 RoHS 标准。
 
HY3810P概述：
这是一款大电流、高耐压的功率 MOSFET，能够在高功率电路中实现高效的电源开关控制，具备良好的电气性能和热稳定性。
 
HY3810P基本参数：
●漏源电压（Vdss）为 100V，
●连续漏极电流（Id）可达 180A。
●在 VGS=10V、ID=90A 条件下，
●导通电阻（RDS (on)）典型值为 6.5mΩ，
●耗散功率（Pd）为 346W，
●阈值电压（Vgs (th)）为 4V，
●反向传输电容（Crss）在 25V 时为 631pF。
 
应用场景：
▲主要用于功率开关应用，如不间断电源（UPS）、电机控制电路、电动车控制器等，也可用于其他需要大电流控制和高耐压能力的电源相关电路中。
 
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