H27U4G8F2ETR-BC 一款P沟道MOSFET TSOP48 蓝信伟业

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H27U4G8F2ETR-BC特征：

P 沟道 MOSFET，具有低导通电阻、高电流承载能力，工作温度范围宽，具备良好的稳定性和可靠性。

H27U4G8F2ETR-BC概述

是 Infineon Technologies 生产的一款 P 沟道 MOSFET，采用先进的 MOSFET 技术，能在高电压和大电流条件下稳定工作。

H27U4G8F2ETR-BC参数

漏源电压（Vdss）为 55V，25℃时连续漏极电流（Id）为 74A，导通电阻为 20 毫欧（@38A，10V），栅极电荷（Qg）为 180nC（@10V），工作温度为 - 55℃至 175℃，封装为 TO-220AB。

应用场景：

▲可用于电源管理电路、电机驱动电路、负载开关等场景。

H27U4G8F2ETR-BC特征：

P 沟道 MOSFET，具有低导通电阻、高电流承载能力，工作温度范围宽，具备良好的稳定性和可靠性。

H27U4G8F2ETR-BC概述

是 Infineon Technologies 生产的一款P沟道MOSFET，采用先进的 MOSFET 技术，能在高电压和大电流条件下稳定工作。

H27U4G8F2ETR-BC参数

应用场景：

▲可用于电源管理电路、电机驱动电路、负载开关等场景。

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