NCE40P70K P 沟道增强型功率 MOSFET 封装TO-252-2 蓝信伟业

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NCE40P70K P 沟道增强型功率 MOSFET 封装TO-252-2 蓝信伟业

特征：

采用先进的沟槽技术和设计，具有低栅极电荷和出色的导通电阻（RDS（ON）），能有效降低导通损耗，提高电路效率。同时，它具备完全表征的雪崩电压和电流，还拥有高静电放电能力，可靠性较高。

说明：

NCE40P70K 是新洁能推出的一款功率 MOSFET 器件，通过优化设计和工艺，使其在高电流负载应用中表现出色，可在一定电压和电流条件下稳定工作，为电路提供可靠的开关控制功能，有助于提升相关电子设备电源部分的性能和稳定性。

关键参数：

漏源电压（VDS）为 - 40V，漏极电流（ID）为 - 70A，在栅源电压（VGS）=-10V 时，漏源导通电阻 RDS（ON）＜10mΩ。工作温度范围为 - 55℃~+150℃。

应用场景：

应用领域较为广泛，包括新能源、家用电器、3C 数码、汽车电子、测量仪器、智能家居、网络通信、安防设备、广电教育、医疗电子、照明电子、可穿戴设备、物联网 IoT 等。例如在家用电器中可用于控制电机等负载的电源通断，在汽车电子中可用于一些车载电器的电源开关控制等。

NCE40P70K P 沟道增强型功率 MOSFET 封装TO-252-2 蓝信伟业

特征：

说明：

关键参数：

漏源电压（VDS）为 - 40V，漏极电流（ID）为 - 70A，在栅源电压（VGS）=-10V 时，漏源导通电阻 RDS（ON）＜10mΩ。工作温度范围为 - 55℃~+150℃。

应用场景：

电话:+86-755-83681378 83291586 83687442

传真:+86-755-83687442

移动电话:13424188068

联系QQ：800007218

联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐

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