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FDA50N50 功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500V，48A，105mΩ，TO-3P
FDA50N50 功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500V，48A，105mΩ，TO-3P
UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
价格: ￥40.000 - ￥41.000
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>=100 ￥40.00 ￥1
        
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FDA50N50特征
●RDS(on) = 56mΩ （最大值）@ VGS = 10V, ID = 29.5A
●低栅极电荷（典型值 77nC）
●低 Crss（典型值 80pF）
●100% 经过雪崩击穿测试
 
FDA50N50说明
UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
 
 
 
 
 
 
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