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TPD2E001DZDR 适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大泄漏电流和 VCC 引脚的双路 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
TPD2E001DZDR 适用于 USB 2.0 且具有 1nA 最大泄漏电流和 VCC 引脚的双路 1.5pF、5.5V、±8kV ESD 保护二极管
TPD2E001DZDR的说明
TPD2E001是一款基于双通道瞬态电压抑制器(TVS)的静电放电(ESD)保护二极管阵列。TPD2E001的额定耗散ESD冲击达到IEC 61000-4-2 4级国际标准中规定的最高水平。

DRS封装(3.00 mm × 3.00 mm)也可用作医疗成像应用的非磁性封装。

另请参见TPD2E2U06DRLR，它与TPD2E001DRLR and兼容，提供更高的IEC ESD保护、更低的箝位电压，并且无需输入电容。
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TPD2E001DZDR的特性
●IEC 61000-4-2 ESD保护(4级)
●8kv接触放电
●15kv空气间隙放电
●IO电容:1.5 pF(典型值)
●低漏电流:1 nA(最大值)
●低电源电流:1 nA
●0.9 V至5.5 V电源电压范围
●节省空间的DRL、干和QFN封装选项
●可选3、4、6通道选项:
●TPD3E001，TPD4E001，TPD6E001
 
TPD2E001DZDR的说明
TPD2E001是一款基于双通道瞬态电压抑制器(TVS)的静电放电(ESD)保护二极管阵列。TPD2E001的额定耗散ESD冲击达到IEC 61000-4-2 4级国际标准中规定的最高水平。
 
DRS封装(3.00 mm × 3.00 mm)也可用作医疗成像应用的非磁性封装。
 
另请参见TPD2E2U06DRLR，它与TPD2E001DRLR and兼容，提供更高的IEC ESD保护、更低的箝位电压，并且无需输入电容。
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