NX7002AK N 沟道增强型 MOSFET 封装SOT-23 蓝信伟业
NX7002AK N 沟道增强型 MOSFET 封装SOT-23 蓝信伟业
NX7002AK    N 沟道增强型 MOSFET         封装SOT-23       蓝信伟业
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NX7002AK    N 沟道增强型 MOSFET         封装SOT-23       蓝信伟业
 
特征:
●开关速度快:采用沟槽 MOSFET 技术,能够实现快速的开关动作,适用于高频开关应用,可有效提高电路的工作效率和性能。
●ESD 保护:内置静电放电(ESD)保护功能,增强了器件的可靠性和稳定性,能够承受一定程度的静电冲击,减少因静电而导致的器件损坏风险。
 
说明:
NX7002AK 是基于硅材料的 N 沟道 MOSFET,利用电场效应来控制电流的流动。当栅极电压高于栅源极阈值电压时,器件导通,漏极电流随着栅极电压的增加而增加;当栅极电压低于阈值电压时,器件截止,漏极电流几乎为零。其内部结构包含源极、栅极和漏极三个电极,通过控制栅极电压来调节沟道的导电性,从而实现对电流的控制。
 
关键参数:
●漏源极击穿电压(Vds):60V。
●栅极 - 源极电压(Vgs):-20V 至 + 20V。
●连续漏极电流(Id):190mA,最大可达 300mA。
●漏源导通电阻(Rds On):在 Vgs = 10V 时,最大为 4500mΩ;在 Vgs = 5V 时,最大为 5200mΩ。
●栅源极阈值电压(Vgs th):典型值为 1.6V。
●栅极电荷(Qg):典型值为 330pC。
●功率耗散(Pd):325mW。
●工作温度范围:-55℃至 + 150℃。
 
应用场景:
●继电器驱动:用于控制继电器的通断,通过 MOSFET 的开关作用,能够以较低的驱动电流控制继电器的线圈,实现对继电器触点的精确控制,从而控制各种高电压、大电流的负载。
●高速线路驱动:在高速信号传输电路中,如 USB 接口、以太网接口等,能够快速地切换信号电平,实现高速数据的传输和处理。
●低侧负载开关:在电源管理电路中,作为低端负载开关,能够有效地控制负载的供电,实现对不同电路模块的电源管理,并且可以通过逻辑电平控制其导通和截止,方便与微控制器等数字电路接口。
●开关电路:广泛应用于各种需要频繁开关的电路中,如 DC - DC 转换器、AC - DC 转换器等,通过快速的开关动作,实现电能的转换和控制,提高电源转换效率。
 
NX7002AK    N 沟道增强型 MOSFET         封装SOT-23       蓝信伟业
 
特征:
●开关速度快:采用沟槽 MOSFET 技术,能够实现快速的开关动作,适用于高频开关应用,可有效提高电路的工作效率和性能。
●ESD 保护:内置静电放电(ESD)保护功能,增强了器件的可靠性和稳定性,能够承受一定程度的静电冲击,减少因静电而导致的器件损坏风险。
 
说明:
NX7002AK 是基于硅材料的 N 沟道 MOSFET,利用电场效应来控制电流的流动。当栅极电压高于栅源极阈值电压时,器件导通,漏极电流随着栅极电压的增加而增加;当栅极电压低于阈值电压时,器件截止,漏极电流几乎为零。其内部结构包含源极、栅极和漏极三个电极,通过控制栅极电压来调节沟道的导电性,从而实现对电流的控制。
 
关键参数:
●漏源极击穿电压(Vds):60V。
●栅极 - 源极电压(Vgs):-20V 至 + 20V。
●连续漏极电流(Id):190mA,最大可达 300mA。
●漏源导通电阻(Rds On):在 Vgs = 10V 时,最大为 4500mΩ;在 Vgs = 5V 时,最大为 5200mΩ。
●栅源极阈值电压(Vgs th):典型值为 1.6V。
●栅极电荷(Qg):典型值为 330pC。
●功率耗散(Pd):325mW。
●工作温度范围:-55℃至 + 150℃。
 
应用场景:
●继电器驱动:用于控制继电器的通断,通过 MOSFET 的开关作用,能够以较低的驱动电流控制继电器的线圈,实现对继电器触点的精确控制,从而控制各种高电压、大电流的负载。
●高速线路驱动:在高速信号传输电路中,如 USB 接口、以太网接口等,能够快速地切换信号电平,实现高速数据的传输和处理。
●低侧负载开关:在电源管理电路中,作为低端负载开关,能够有效地控制负载的供电,实现对不同电路模块的电源管理,并且可以通过逻辑电平控制其导通和截止,方便与微控制器等数字电路接口。
●开关电路:广泛应用于各种需要频繁开关的电路中,如 DC - DC 转换器、AC - DC 转换器等,通过快速的开关动作,实现电能的转换和控制,提高电源转换效率。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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