XP151A13A0MR 场效应晶体管 SOT23 蓝信伟业

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XP151A13A0MR特征：

Torex 半导体 N 沟道小功率 MOSFET，SOT-23 微型封装，低导通电阻，低功耗，开关损耗小，符合 RoHS 标准，适配小型化电路设计。

XP151A13A0MR概述

专为小电流开关场景设计的场效应晶体管，体积小巧，功耗低，适合便携式设备的电源管理与负载控制。

XP151A13A0MR参数：

漏源电压 20V；连续漏极电流 1A；导通电阻 RDS (on)≤100mΩ（VGS=4.5V）；最大功耗 500mW；工作结温 - 55℃~+150℃；封装尺寸 2.9mm×2.4mm×1.1mm。

应用场景：

▲便携式电子设备（手机、平板）电源管理模块、小型传感器负载开关、MCU 外围电路开关控制、微型数码产品供电切换。

XP151A13A0MR特征：

Torex 半导体N沟道小功率 MOSFET，SOT-23 微型封装，低导通电阻，低功耗，开关损耗小，符合 RoHS 标准，适配小型化电路设计。

XP151A13A0MR概述

专为小电流开关场景设计的场效应晶体管，体积小巧，功耗低，适合便携式设备的电源管理与负载控制。

XP151A13A0MR参数：

漏源电压 20V；连续漏极电流 1A；导通电阻 RDS (on)≤100mΩ（VGS=4.5V）；最大功耗 500mW；工作结温 - 55℃~+150℃；封装尺寸 2.9mm×2.4mm×1.1mm。

应用场景：

▲便携式电子设备（手机、平板）电源管理模块、小型传感器负载开关、MCU 外围电路开关控制、微型数码产品供电切换。

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