STP75NF75 N沟道75 V、0.0095 Ohm典型值、80 A STripFET II功率MOSFET,TO-220封装
STP75NF75 N沟道75 V、0.0095 Ohm典型值、80 A STripFET II功率MOSFET,TO-220封装
此功率MOSFET系列采用STMicroelectronics独有的STripFET实现™ 该工艺专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此,它适用于电信和计算机应用中的高级高效、高频隔离DC-DC转换器的主开关。它也适用于具有低栅极驱动要求的任何应用。
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STP75NF75的特征
●卓越的dv/dt能力
●100%雪崩测试
 
STP75NF75说明
此功率MOSFET系列采用STMicroelectronics独有的STripFET实现™ 该工艺专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此,它适用于电信和计算机应用中的高级高效、高频隔离DC-DC转换器的主开关。它也适用于具有低栅极驱动要求的任何应用。
 
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传真:+86-755-83687442
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