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FQA28N50 功率 MOSFET N 沟道 QFET® 500 V 28.4 A 160 mΩ TO-3P
FQA28N50 功率 MOSFET N 沟道 QFET® 500 V 28.4 A 160 mΩ TO-3P
此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的平面条纹 DMOS 专属技术生产的。此先进技术特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于高效开关模式电源、功率因数校正、基于半桥的电子灯镇流器。
价格: ￥14.000 - ￥15.000
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FQA28N50特征
●28.4 A、500 V、RDS(on) = 160 mΩ（最大值）（ VGS = 10 V、ID = 14.2 A）
●低栅极电荷（典型值 110 nC)
●低 Crss（典型值 60 pF)
●100% 经过雪崩击穿测试
●符合 RoHS 标准
 
FQA28N50说明
此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的平面条纹 DMOS 专属技术生产的。此先进技术特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于高效开关模式电源、功率因数校正、基于半桥的电子灯镇流器。
 
 
 
 
 
 
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