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2SC3585 R45 型高频低噪声晶体管 SOT23 蓝信伟业
2SC3585 R45 型高频低噪声晶体管 SOT23 蓝信伟业
2SC3585 R45 型高频低噪声晶体管 SOT23 蓝信伟业
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2SC3585 R45特征：
超高频低噪声晶体管，采用平面 NPN 硅外延双极型工艺，具有高功率增益、低噪声系数、大动态范围和理想的电流特性。
 
2SC3585 R45概述：
2SC3585 是一款 NPN 型高频低噪声晶体管，采用 SOT-23-3L 贴片式封装。
 
2SC3585 R45参数：
集电极基极击穿电压 VCBO 为 20V，集电极发射极击穿电压 VCEO 为 10V，发射极基极击穿电压 VEBO 为 1.5V，集电极电流 IC 为 35mA，功耗 PC 为 200mW。增益带宽乘积 fT 典型值为 10GHz，功率增益∣S21e∣2 典型值为 5.5dB，噪声因子 NF 典型值为 2.5dB。
 
应用场景：
▲主要应用于 VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器。
 
2SC3585 R45特征：
超高频低噪声晶体管，采用平面 NPN 硅外延双极型工艺，具有高功率增益、低噪声系数、大动态范围和理想的电流特性。
 
2SC3585 R45概述：
2SC3585 是一款 NPN 型高频低噪声晶体管，采用 SOT-23-3L 贴片式封装。
 
2SC3585 R45参数：
集电极基极击穿电压 VCBO 为 20V，集电极发射极击穿电压 VCEO 为 10V，发射极基极击穿电压 VEBO 为 1.5V，集电极电流 IC 为 35mA，功耗 PC 为 200mW。增益带宽乘积 fT 典型值为 10GHz，功率增益∣S21e∣2 典型值为 5.5dB，噪声因子 NF 典型值为 2.5dB。
 
应用场景：
▲主要应用于 VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器。
 
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联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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