FGH40T120SMD IGBT 1200V 40A 场截止沟槽

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安森美半导体的新型场截止沟槽 IGBT 系列采用创新的场截止沟槽 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。

价格: ￥165.000 - ￥161.000

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FGH40T120SMD的特征

●FS 沟道技术，正温度系数

●高速开关

●低饱和电压： VCE(sat)= 1.8 V @ IC = 40 A

●ILM(1)部件100%检测

●高输入阻抗

●符合 RoHS 标准

FGH40T120SMD的说明

安森美半导体的新型场截止沟槽 IGBT 系列采用创新的场截止沟槽 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。

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