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HCNR200-000E 高性能模拟光电耦合器 DIP8 蓝信伟业
HCNR200-000E 高性能模拟光电耦合器 DIP8 蓝信伟业
HCNR200-000E 高性能模拟光电耦合器 DIP8 蓝信伟业
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HCNR200-000E特征：
●采用双光电二极管设计架构，
●线性度高，
●温度稳定性好，
●隔离耐压高。
 
HCNR200-000E概述：
是 Broadcom 生产的高性能模拟光电耦合器，能实现精密模拟信号的隔离传输。
 
HCNR200-000E参数：
■非线性度低至 0.01%，
■隔离电压 5000VRMS，
■工作温度范围 - 40℃至 + 85℃。
 
应用场景：
▲广泛应用于医疗设备、工业自动化控制系统、电力监测设备、高精度测试测量仪器等领域。
 
HCNR200-000E特征：
●采用双光电二极管设计架构，
●线性度高，
●温度稳定性好，
●隔离耐压高。
 
HCNR200-000E概述：
是 Broadcom 生产的高性能模拟光电耦合器，能实现精密模拟信号的隔离传输。
 
HCNR200-000E参数：
■非线性度低至 0.01%，
■隔离电压 5000VRMS，
■工作温度范围 - 40℃至 + 85℃。
 
应用场景：
▲广泛应用于医疗设备、工业自动化控制系统、电力监测设备、高精度测试测量仪器等领域。
 
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联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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