STP110N8F6 N沟道80 V、0.0056 Ohm典型值、110 A STripFET F6功率MOSFET,TO-220封装
STP110N8F6 N沟道80 V、0.0056 Ohm典型值、110 A STripFET F6功率MOSFET,TO-220封装
该器件是使用STripFET开发的N沟道功率MOSFET™ F6技术,具有新的沟槽栅结构。所得到的功率MOSFET在所有封装中都表现出非常低的RDS(开)。
价格: ¥2.000 - ¥3.000
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STP110N8F6的特征
●非常低的导通电阻
●极低栅极电荷
●高雪崩强度
●低栅极驱动功率损耗
 
STP110N8F6说明
该器件是使用STripFET开发的N沟道功率MOSFET™ F6技术,具有新的沟槽栅结构。所得到的功率MOSFET在所有封装中都表现出非常低的RDS(开)。
 
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传真:+86-755-83687442
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