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FQP19N20C 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，19 A，170 mΩ，TO-220
FQP19N20C 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，19 A，170 mΩ，TO-220
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
价格: ￥15.000 - ￥16.000
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FQP19N20C的特征
●19A, 200V, RDS(on) = 170mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 9.5A栅极电荷低（典型值：40.5nC)
●低 Crss（典型值85pF)
●100% 经过雪崩击穿测试
●100% avalanche tested
 
FQP19N20C的说明
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
 
 
 
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