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FQA24N50 功率 MOSFET， N 沟道
FQA24N50 功率 MOSFET， N 沟道
这些N通道增强模式功率场效应晶体管是使用飞兆半导体专有的平面条纹DMOStechnology生产的。这种先进的技术特别适合于最小化导通电阻，提供优异的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合于高效率开关电源、功率因数校正、半桥式电子灯镇流器。
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FQA24N50 的特性
■24 A，500 V，RDS（开）=200 mΩ（最大值）@VGS=10 V，ID=12 A
■低栅极电荷（典型90 nC）
■低CRS（典型55 pF）
■100%雪崩测试
■符合RoHS
 
FQA24N50 的说明
这些N通道增强模式功率场效应晶体管是使用飞兆半导体专有的平面条纹DMOStechnology生产的。这种先进的技术特别适合于最小化导通电阻，提供优异的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合于高效率开关电源、功率因数校正、半桥式电子灯镇流器。
FQA24N50 的特性
■24 A，500 V，RDS（开）=200 mΩ（最大值）@VGS=10 V，ID=12 A
■低栅极电荷（典型90 nC）
■低CRS（典型55 pF）
■100%雪崩测试
■符合RoHS
 
FQA24N50 的说明
这些N通道增强模式功率场效应晶体管是使用飞兆半导体专有的平面条纹DMOStechnology生产的。这种先进的技术特别适合于最小化导通电阻，提供优异的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合于高效率开关电源、功率因数校正、半桥式电子灯镇流器。
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联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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