BF1212 N 沟道双栅极 MOSFET 封装 SOT-143B 蓝信伟业
BF1212 N 沟道双栅极 MOSFET 封装 SOT-143B 蓝信伟业
BF1212    N 沟道双栅极 MOSFET       封装 SOT-143B           蓝信伟业
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BF1212    N 沟道双栅极 MOSFET       封装 SOT-143B           蓝信伟业
 
特征:
具有较高的电子迁移率,能实现高频信号的高效放大和处理。双栅极结构使其具备更好的信号控制能力,可以对输入信号进行更精准的调节,在自动增益控制(AGC)过程中能展现出很好的交叉调制性能。
 
说明:
BF1212 是恩智浦推出的一款用于射频领域的场效应晶体管,通过双栅极设计和内部保护二极管,在高频电路中能够稳定工作,为高频信号的放大等处理提供了可靠的元件支持,适用于对信号处理精度和稳定性要求较高的场景。
 
关键参数:
具体参数暂无公开的详细资料,但作为高频 MOSFET,其工作频率可达到较高水平,一般能满足数百 MHz 甚至更高频率的信号处理需求。漏源电压、栅源电压等参数会根据具体规格有所不同,通常漏源电压可承受几十伏左右,栅源电压一般在数伏范围内。
 
应用场景:
主要应用于高频(射频)放大电路,如在无线通信设备中的射频前端,可用于对接收或发射的射频信号进行放大,以提高信号强度。也可用于一些需要高频信号处理的雷达系统、卫星通信设备等,帮助实现信号的高效放大和处理。
 
BF1212    N 沟道双栅极 MOSFET       封装 SOT-143B           蓝信伟业
 
特征:
具有较高的电子迁移率,能实现高频信号的高效放大和处理。双栅极结构使其具备更好的信号控制能力,可以对输入信号进行更精准的调节,在自动增益控制(AGC)过程中能展现出很好的交叉调制性能。
 
说明:
BF1212 是恩智浦推出的一款用于射频领域的场效应晶体管,通过双栅极设计和内部保护二极管,在高频电路中能够稳定工作,为高频信号的放大等处理提供了可靠的元件支持,适用于对信号处理精度和稳定性要求较高的场景。
 
关键参数:
具体参数暂无公开的详细资料,但作为高频 MOSFET,其工作频率可达到较高水平,一般能满足数百 MHz 甚至更高频率的信号处理需求。漏源电压、栅源电压等参数会根据具体规格有所不同,通常漏源电压可承受几十伏左右,栅源电压一般在数伏范围内。
 
应用场景:
主要应用于高频(射频)放大电路,如在无线通信设备中的射频前端,可用于对接收或发射的射频信号进行放大,以提高信号强度。也可用于一些需要高频信号处理的雷达系统、卫星通信设备等,帮助实现信号的高效放大和处理。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
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