2SC3356-T1B-A NPN 型硅外延晶体管 封装SOT-23-3 蓝信伟业
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2SC3356-T1B-A
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2SC3356-T1B-A    NPN 型硅外延晶体管       封装SOT-23-3        蓝信伟业
 
特征:
是一种 NPN 型晶体管,具有高频特性,过渡频率可达 7000MHz。它采用硅材料制作,具有较好的稳定性和一致性,且功耗较低,适合在低功耗要求的电路中使用。
 
说明:
2SC3356-T1B-A 是一款适用于高频电路的小信号晶体管,通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流,从而实现信号放大等功能。其工作电压和电流相对较低,适用于一些对功耗和电压要求较为严格的场景。
 
关键参数:
集电极 - 基极电压最大值(VCBO)为 20V,集电极 - 发射极电压最大值(VCEO)为 12V,发射极 - 基极电压最大值(VEBO)为 3V,集电极电流最大值(IC)为 100mA,总功耗(PC)为 200mW,结温为 150℃,存储温度为 - 55℃~+150℃。
 
应用场景:
常用于高频通信电路,如射频放大器、无线收发模块等,可对高频信号进行放大处理。也适用于一些小型便携式电子设备中的电源管理电路和信号放大电路,如手机、平板电脑等,还可用于需要低噪声、高频特性的其他电子设备中,实现特定的信号处理功能。
 
2SC3356-T1B-A    NPN 型硅外延晶体管       封装SOT-23-3        蓝信伟业
 
特征:
是一种 NPN 型晶体管,具有高频特性,过渡频率可达 7000MHz。它采用硅材料制作,具有较好的稳定性和一致性,且功耗较低,适合在低功耗要求的电路中使用。
 
说明:
2SC3356-T1B-A 是一款适用于高频电路的小信号晶体管,通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流,从而实现信号放大等功能。其工作电压和电流相对较低,适用于一些对功耗和电压要求较为严格的场景。
 
关键参数:
集电极 - 基极电压最大值(VCBO)为 20V,集电极 - 发射极电压最大值(VCEO)为 12V,发射极 - 基极电压最大值(VEBO)为 3V,集电极电流最大值(IC)为 100mA,总功耗(PC)为 200mW,结温为 150℃,存储温度为 - 55℃~+150℃。
 
应用场景:
常用于高频通信电路,如射频放大器、无线收发模块等,可对高频信号进行放大处理。也适用于一些小型便携式电子设备中的电源管理电路和信号放大电路,如手机、平板电脑等,还可用于需要低噪声、高频特性的其他电子设备中,实现特定的信号处理功能。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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