IRFH5250DTRPBF 采用 PQFN 5x6 封装的具有集成肖特基二极管的 25V 单 N 沟道功率 MOSFET
IRFH5250DTRPBF 采用 PQFN 5x6 封装的具有集成肖特基二极管的 25V 单 N 沟道功率 MOSFET
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合需要性能和耐用性的低频应用。全面的产品组合适用于广泛的应用,包括直流电机、电池管理系统、逆变器和直流-直流转换器。
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IRFH5250DTRPBF特征
●针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
●符合 JEDEC 标准的产品认证
●行业标准表面贴装封装
●为低于 <100kHz 的应用开关而优化的硅
●分销合作伙伴的广泛可用性
●行业标准资质等级
●标准引出线允许直接更换
●低频应用中的高性能
 
IRFH5250DTRPBF说明
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合需要性能和耐用性的低频应用。全面的产品组合适用于广泛的应用,包括直流电机、电池管理系统、逆变器和直流-直流转换器。
 
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