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2SC5010-T1 NPN 型硅外延晶体管 封装SOT-323 蓝信伟业
2SC5010-T1 NPN 型硅外延晶体管 封装SOT-323 蓝信伟业
2SC5010-T1   NPN 型硅外延晶体管       封装SOT-323        蓝信伟业
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2SC5010-T1   NPN 型硅外延晶体管       封装SOT-323        蓝信伟业
 
特征：
具有低噪声系数、高增益和高电流能力，能实现很宽的动态范围和出色的线性度。这是通过直接氮化硅钝化基极表面工艺（NEST3 工艺）实现的，该工艺为瑞萨的专有制造技术。
 
说明：
2SC5010-T1 是一款 NPN 型射频小信号晶体管，基于硅材料制成，通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流，从而实现对射频信号的放大等功能。其超小型封装和优良的射频性能，使其适用于对空间和信号处理要求较高的电路。
 
关键参数：
集电极 - 基极电压最大值（VCBO）为 9V，集电极 - 发射极电压最大值（VCEO）为 6V，发射极 - 基极电压最大值（VEBO）一般为 5V 左右，集电极电流最大值（IC）为 30mA，集电极 - 基极电容最大值为 0.7pF，功耗（PT）为 125mW，过渡频率（FT）可达 150MHz。
 
应用场景：
常用于 VHF、L 频段的低噪声放大器电路，如无线通信设备中的射频前端电路，可对接收的微弱射频信号进行放大，提高信号质量。也可应用于一些射频模块、卫星接收设备、雷达系统等需要处理射频小信号的场合，还可在一些对体积要求苛刻的小型无线电子产品，如蓝牙设备、WiFi 模块中发挥作用。
 
2SC5010-T1   NPN 型硅外延晶体管       封装SOT-323        蓝信伟业
 
特征：
具有低噪声系数、高增益和高电流能力，能实现很宽的动态范围和出色的线性度。这是通过直接氮化硅钝化基极表面工艺（NEST3 工艺）实现的，该工艺为瑞萨的专有制造技术。
 
说明：
2SC5010-T1 是一款 NPN 型射频小信号晶体管，基于硅材料制成，通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流，从而实现对射频信号的放大等功能。其超小型封装和优良的射频性能，使其适用于对空间和信号处理要求较高的电路。
 
关键参数：
集电极 - 基极电压最大值（VCBO）为 9V，集电极 - 发射极电压最大值（VCEO）为 6V，发射极 - 基极电压最大值（VEBO）一般为 5V 左右，集电极电流最大值（IC）为 30mA，集电极 - 基极电容最大值为 0.7pF，功耗（PT）为 125mW，过渡频率（FT）可达 150MHz。
 
应用场景：
常用于 VHF、L 频段的低噪声放大器电路，如无线通信设备中的射频前端电路，可对接收的微弱射频信号进行放大，提高信号质量。也可应用于一些射频模块、卫星接收设备、雷达系统等需要处理射频小信号的场合，还可在一些对体积要求苛刻的小型无线电子产品，如蓝牙设备、WiFi 模块中发挥作用。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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