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LM339DT 四路差动比较器
LM339DT 四路差动比较器
这些设备包括四个独立的电压比较器设计的操作从一个广泛的电压供电。操作从双重供应也是可能的,只要两者的区别供应2 V 36 V,和VCC至少比输入共模电压1.5 V更积极。电源电压的电流损耗是独立的。输出可以连接到其他集电极开路输出实现有线和关系。
LM139和LM139A具有操作的全面军事温度范围-55°C到125°C。LM239和LM239A具有操作从-25°C到125°C。LM339和LM339A具有操作从0°C到70°C。LM2901,LM2901AV,LM2901V具有操作从-40°C到125°
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描述
这些设备包括四个独立的电压比较器设计的操作从一个广泛的电压供电。操作从双重供应也是可能的,只要两者的区别供应2 V 36 V,和VCC至少比输入共模电压1.5 V更积极。电源电压的电流损耗是独立的。输出可以连接到其他集电极开路输出实现有线和关系。
LM139和LM139A具有操作的全面军事温度范围-55°C到125°C。LM239和LM239A具有操作从-25°C到125°C。LM339和LM339A具有操作从0°C到70°C。LM2901,LM2901AV,LM2901V具有操作从-40°C到125°C。
特性
广泛的供应范围
单一的供应:2 V 36 V
(测试30 V Non-V设备和32 V V型设备)
双重供应:±1 V±18 V
(检测±15 V Non-V设备和±16 V V型设备)
独立电源电流消耗低电源电压:0.8 mA(Typ)
低输入偏置电流:25 nA(Typ)
低输入偏置电流:3 nA(Typ)(LM139)
低输入偏置电压:2 mV(Typ)
共模输入电压范围包括地面
差分输入电压范围等于最大额定电源电压:±36 v
低饱和输出电压
输出与TTL兼容,金属氧化物半导体和CMOS
描述
这些设备包括四个独立的电压比较器设计的操作从一个广泛的电压供电。操作从双重供应也是可能的,只要两者的区别供应2 V 36 V,和VCC至少比输入共模电压1.5 V更积极。电源电压的电流损耗是独立的。输出可以连接到其他集电极开路输出实现有线和关系。
LM139和LM139A具有操作的全面军事温度范围-55°C到125°C。LM239和LM239A具有操作从-25°C到125°C。LM339和LM339A具有操作从0°C到70°C。LM2901,LM2901AV,LM2901V具有操作从-40°C到125°C。
特性
广泛的供应范围
单一的供应:2 V 36 V
(测试30 V Non-V设备和32 V V型设备)
双重供应:±1 V±18 V
(检测±15 V Non-V设备和±16 V V型设备)
独立电源电流消耗低电源电压:0.8 mA(Typ)
低输入偏置电流:25 nA(Typ)
低输入偏置电流:3 nA(Typ)(LM139)
低输入偏置电压:2 mV(Typ)
共模输入电压范围包括地面
差分输入电压范围等于最大额定电源电压:±36 v
低饱和输出电压
输出与TTL兼容,金属氧化物半导体和CMOS
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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