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FQP55N10 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，55 A，26 mΩ，TO-220
FQP55N10 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，55 A，26 mΩ，TO-220
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
价格: ￥5.000 - ￥6.000
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FQP55N10特征：
●55A, 100V, RDS(on) = 26mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 27.5A栅极电荷低（典型值：75nC)
●低 Crss（典型值130pF)
●100% 经过雪崩击穿测试
●175°C最大结温额定值"
●175°C 最大结温额定值

FQP55N10的说明
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
 
电话:+86-0755-84196189 
传真:+86-0755-83687442
移动电话:13502856648 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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