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BFG540W/X 高频低噪声晶体管 SOT343 蓝信伟业
BFG540W/X 高频低噪声晶体管 SOT343 蓝信伟业
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BFG540W/X特征：
NPN 型射频晶体管，高截止频率，低噪声系数，高功率增益，采用 SOT-89 封装，适合高频放大场景。
 
BFG540W/X概述
是 NXP（恩智浦）推出的高频低噪声晶体管，基于先进的 SiGe 工艺，专为射频前端设计，信号放大性能优异。
 
BFG540W/X基本参数
集电极 - 发射极电压 VCEO=15V，集电极电流 IC=100mA，功率耗散 PD=330mW，截止频率 fT=9GHz，噪声系数 NF=0.7dB（f=1GHz），功率增益 Gp=14dB（f=1GHz），工作温度 - 65℃~+150℃。
 
应用场景：
▲射频接收机、卫星电视调谐器、无线通信设备（WiFi/Bluetooth）、雷达系统、测试仪器、高频信号放大电路。
 
BFG540W/X特征：
NPN 型射频晶体管，高截止频率，低噪声系数，高功率增益，采用 SOT-89 封装，适合高频放大场景。
 
BFG540W/X概述
是 NXP（恩智浦）推出的高频低噪声晶体管，基于先进的 SiGe 工艺，专为射频前端设计，信号放大性能优异。
 
BFG540W/X基本参数
集电极 - 发射极电压 VCEO=15V，集电极电流 IC=100mA，功率耗散 PD=330mW，截止频率 fT=9GHz，噪声系数 NF=0.7dB（f=1GHz），功率增益 Gp=14dB（f=1GHz），工作温度 - 65℃~+150℃。
 
应用场景：
▲射频接收机、卫星电视调谐器、无线通信设备（WiFi/Bluetooth）、雷达系统、测试仪器、高频信号放大电路。
 
电话:+86-0755-84196189 
传真:+86-0755-83687442
移动电话:13502856648 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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