FDA69N25 N 沟道 UniFETTM MOSFET 250V,69A,41mΩ
FDA69N25 N 沟道 UniFETTM MOSFET 250V,69A,41mΩ
UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品,基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
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FDA69N25特征:
●RDS(on) = 41mΩ (最大值)@ VGS = 10V, ID = 34.5A
●低栅极电荷(典型值 77nC)
●低Crss(典型值 84pF)
 
 
FDA69N25说明:
UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品,基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
电话:+86-0755-84196189 
传真:+86-0755-83687442
移动电话:13502856648 
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