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FQPF50N06 60V N沟道MOSFET
FQPF50N06 60V N沟道MOSFET
这些N通道增强模式功率场效应晶体管是使用Fairchild的专有技术生产的，平面条纹、DMOS技术。这项先进的技术专为最小化导通电阻，提供卓越的切换性能，并在雪崩和换向模式。这些设备很好适用于汽车、直流等低压应用/直流转换器和高效电源开关便携式和电池供电产品的管理。
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FQPF50N06 的特性
•31A，60V，RDS（打开）=0.022Ω @VGS=10伏
•低栅极电荷（典型为31 nC）
•低Crss（典型65 pF）
•快速切换
•100%雪崩测试
•改进了dv/dt功能
•175°C最高结温额定值
 
 
FQPF50N06 的说明
这些N通道增强模式功率场效应晶体管是使用Fairchild的专有技术生产的，平面条纹、DMOS技术。这项先进的技术专为最小化导通电阻，提供卓越的切换性能，并在雪崩和换向模式。这些设备很好适用于汽车、直流等低压应用/直流转换器和高效电源开关便携式和电池供电产品的管理。
FQPF50N06 的特性
•31A，60V，RDS（打开）=0.022Ω @VGS=10伏
•低栅极电荷（典型为31 nC）
•低Crss（典型65 pF）
•快速切换
•100%雪崩测试
•改进了dv/dt功能
•175°C最高结温额定值
 
 
FQPF50N06 的说明
这些N通道增强模式功率场效应晶体管是使用Fairchild的专有技术生产的，平面条纹、DMOS技术。这项先进的技术专为最小化导通电阻，提供卓越的切换性能，并在雪崩和换向模式。这些设备很好适用于汽车、直流等低压应用/直流转换器和高效电源开关便携式和电池供电产品的管理。
电话:+86-0755-84196189 
传真:+86-0755-83687442
移动电话:13502856648 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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