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SI2301CDS-T1-GE3 P 沟道增强型 MOS 管 封装SOT-23-3 蓝信伟业
SI2301CDS-T1-GE3 P 沟道增强型 MOS 管 封装SOT-23-3 蓝信伟业
SI2301CDS-T1-GE3   P 沟道增强型 MOS 管       封装SOT-23-3        蓝信伟业
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SI2301CDS-T1-GE3   P 沟道增强型 MOS 管       封装SOT-23-3        蓝信伟业
 
特征：
具有低导通电阻特性，可降低导通状态下的功率损耗，提高电路效率。漏源击穿电压为 20V，能在一定电压范围内稳定工作，并且具备较快的开关速度，可应用于对开关频率有一定要求的电路。
 
说明：
SI2301CDS-T1-GE3 是威世推出的一款小信号 MOSFET，采用 TrenchFET 技术，在实现低功耗的同时，保证了较好的电气性能。其小尺寸封装和良好的性能，使其成为许多便携式和对空间要求严格的电子设备中电路设计的理想选择。
 
关键参数：
漏源极击穿电压（Vdss）为 20V，连续漏极电流（Id）为 3.1A，导通电阻（Rds on）在 2.8A、4.5V 条件下最大为 112 毫欧，栅源极阈值电压（Vgs th）最大为 1V（@250µA），栅极电荷（Qg）在 4.5V 时为 10nC，输入电容（Ciss）在 10V 时为 405pF，功率耗散为 1.6W，工作温度范围为 - 55°C 至 + 150°C。
 
应用场景：
常用于电池管理和充电系统，可精准控制电流和电压，提高充电效率和电池续航能力。也适用于电机驱动电路，凭借其高电流承载能力和快速反应特性，可有效驱动小型电机。此外，还可应用于 LED 照明控制电路，能提供平滑的变光效果，满足现代照明系统的需求，同时也常见于各类需要小信号开关控制或信号放大的消费电子和汽车电子电路中。
 
SI2301CDS-T1-GE3   P 沟道增强型 MOS 管       封装SOT-23-3        蓝信伟业
 
特征：
具有低导通电阻特性，可降低导通状态下的功率损耗，提高电路效率。漏源击穿电压为 20V，能在一定电压范围内稳定工作，并且具备较快的开关速度，可应用于对开关频率有一定要求的电路。
 
说明：
SI2301CDS-T1-GE3 是威世推出的一款小信号 MOSFET，采用 TrenchFET 技术，在实现低功耗的同时，保证了较好的电气性能。其小尺寸封装和良好的性能，使其成为许多便携式和对空间要求严格的电子设备中电路设计的理想选择。
 
关键参数：
漏源极击穿电压（Vdss）为 20V，连续漏极电流（Id）为 3.1A，导通电阻（Rds on）在 2.8A、4.5V 条件下最大为 112 毫欧，栅源极阈值电压（Vgs th）最大为 1V（@250µA），栅极电荷（Qg）在 4.5V 时为 10nC，输入电容（Ciss）在 10V 时为 405pF，功率耗散为 1.6W，工作温度范围为 - 55°C 至 + 150°C。
 
应用场景：
常用于电池管理和充电系统，可精准控制电流和电压，提高充电效率和电池续航能力。也适用于电机驱动电路，凭借其高电流承载能力和快速反应特性，可有效驱动小型电机。此外，还可应用于 LED 照明控制电路，能提供平滑的变光效果，满足现代照明系统的需求，同时也常见于各类需要小信号开关控制或信号放大的消费电子和汽车电子电路中。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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