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FDMS6681Z 电路环境中高效工作的场效应管 QFN8 蓝信伟业
FDMS6681Z 电路环境中高效工作的场效应管 QFN8 蓝信伟业
FDMS6681Z 电路环境中高效工作的场效应管 QFN8 蓝信伟业
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FDMS6681Z特征：
●P 沟道 MOSFET，采用 DFN8_5X6MM_EP 封装，具有低导通电阻和高电流处理能力。
 
FDMS6681Z概述：
是一款能够在低电压、大电流的电路环境中高效工作的场效应管，其封装形式适合表面贴装，可节省电路板空间。
 
FDMS6681Z参数：
●漏源电压（Vdss）为 30V，
●25°C 时连续漏极电流 Id 为 21.1A（Ta）、49A（Tc），
●驱动电压为 4.5V 和 10V，
●不同 Id、Vgs 时导通电阻最大值为 3.2 毫欧 @22.1A，10V，
●工作温度范围是 - 55°C 至 150°C（TJ）。
 
应用场景：
▲常用于需要高效功率开关和电源管理的电路中，如笔记本电脑、平板电脑等便携式电子设备的电源管理电路，以及一些对空间要求较高的低电压、大电流电源转换电路。
 
FDMS6681Z特征：
●P 沟道 MOSFET，采用 DFN8_5X6MM_EP 封装，具有低导通电阻和高电流处理能力。
 
FDMS6681Z概述：
是一款能够在低电压、大电流的电路环境中高效工作的场效应管，其封装形式适合表面贴装，可节省电路板空间。
 
FDMS6681Z参数：
●漏源电压（Vdss）为 30V，
●25°C 时连续漏极电流 Id 为 21.1A（Ta）、49A（Tc），
●驱动电压为 4.5V 和 10V，
●不同 Id、Vgs 时导通电阻最大值为 3.2 毫欧 @22.1A，10V，
●工作温度范围是 - 55°C 至 150°C（TJ）。
 
应用场景：
▲常用于需要高效功率开关和电源管理的电路中，如笔记本电脑、平板电脑等便携式电子设备的电源管理电路，以及一些对空间要求较高的低电压、大电流电源转换电路。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
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