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MPF102 N 沟道结型场效应管 封装TO-92 蓝信伟业
MPF102 N 沟道结型场效应管 封装TO-92 蓝信伟业
MPF102     N 沟道结型场效应管        封装TO-92      蓝信伟业
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MPF102     N 沟道结型场效应管        封装TO-92      蓝信伟业
 
特征：
具有高输入阻抗、低噪声和高增益的特点，能有效减少对信号源的负载影响，且适合处理微弱信号。工作在耗尽模式，稳定性和可靠性较高。
 
说明：
MPF102 是一款硅基 N 沟道射频小信号结型场效应管，其高输入阻抗和低噪声特性使其在低功率音频和射频应用中表现出色，可用于构建精确且抗噪声的电子系统。
 
参数：
最大漏 - 栅电压（VDG）为 25V，最大栅 - 源电压（VGS）为 - 25V，最大正向栅极电流（IGF）为 10mA。零栅压漏极电流（IDSS）最大值为 20mA，栅 - 源截止电压（Vgs (off)）为 - 0.5V 至 - 8V，正向跨导（gm）最小值为 7500μS。最大反馈电容（Crss）为 3pF，最大功率耗散为 350mW，最高工作温度为 155℃。
 
应用场景：
常用于甚高频（VHF）信号放大器、音频前置放大器、传感器电路等，可对微弱的射频信号或音频信号进行放大，也可用于需要高输入阻抗的电路以及一些简单的模拟开关电路中。
 
MPF102     N 沟道结型场效应管        封装TO-92      蓝信伟业
 
特征：
具有高输入阻抗、低噪声和高增益的特点，能有效减少对信号源的负载影响，且适合处理微弱信号。工作在耗尽模式，稳定性和可靠性较高。
 
说明：
MPF102 是一款硅基 N 沟道射频小信号结型场效应管，其高输入阻抗和低噪声特性使其在低功率音频和射频应用中表现出色，可用于构建精确且抗噪声的电子系统。
 
参数：
最大漏 - 栅电压（VDG）为 25V，最大栅 - 源电压（VGS）为 - 25V，最大正向栅极电流（IGF）为 10mA。零栅压漏极电流（IDSS）最大值为 20mA，栅 - 源截止电压（Vgs (off)）为 - 0.5V 至 - 8V，正向跨导（gm）最小值为 7500μS。最大反馈电容（Crss）为 3pF，最大功率耗散为 350mW，最高工作温度为 155℃。
 
应用场景：
常用于甚高频（VHF）信号放大器、音频前置放大器、传感器电路等，可对微弱的射频信号或音频信号进行放大，也可用于需要高输入阻抗的电路以及一些简单的模拟开关电路中。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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