BF422 NPN 硅晶体管
BF422 NPN 硅晶体管
BF422   NPN 硅晶体管
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BF422   NPN 硅晶体管       封装TO-92             蓝信伟业
 
特征:
具有高击穿电压特性,能承受较高的电压而不被击穿。与 BF423 形成互补对,在一些电路中可配合使用,以实现更好的性能。
 
说明:
BF422 是一款 NPN 型硅晶体管,采用 TO-92 封装,具备高击穿电压的特点,能够在高压环境下稳定工作,通过控制基极电流,可以实现对集电极和发射极之间电流的控制,从而发挥开关或放大作用,且具有一定的温度稳定性,可在较宽温度范围内工作。
 
关键参数:
集电极 - 基极电压(VCBO)为 250V,集电极 - 发射极电压(VCEO)为 250V,发射极 - 基极电压(VEBO)为 5V,集电极电流(Ic)最大值可达 100mA,集电极耗散功率(Pc)为 625mW,结温(T)为 150°C,存储温度(Tsto)为 - 55℃至 150℃,DC 电流增益(hFE)在 VcE=20V、Ic=25mA 时大于 50,晶体管频率(fr)为 100MHz。
 
应用场景:
适用于高电压应用场景,如高压电源控制电路。也可用于监控设备中,对信号进行放大或作为开关控制部件。此外,还可应用于彩电视放输出电路,帮助放大视频信号,以驱动显像管相关电路。
 
BF422   NPN 硅晶体管       封装TO-92             蓝信伟业
 
特征:
具有高击穿电压特性,能承受较高的电压而不被击穿。与 BF423 形成互补对,在一些电路中可配合使用,以实现更好的性能。
 
说明:
BF422 是一款 NPN 型硅晶体管,采用 TO-92 封装,具备高击穿电压的特点,能够在高压环境下稳定工作,通过控制基极电流,可以实现对集电极和发射极之间电流的控制,从而发挥开关或放大作用,且具有一定的温度稳定性,可在较宽温度范围内工作。
 
关键参数:
集电极 - 基极电压(VCBO)为 250V,集电极 - 发射极电压(VCEO)为 250V,发射极 - 基极电压(VEBO)为 5V,集电极电流(Ic)最大值可达 100mA,集电极耗散功率(Pc)为 625mW,结温(T)为 150°C,存储温度(Tsto)为 - 55℃至 150℃,DC 电流增益(hFE)在 VcE=20V、Ic=25mA 时大于 50,晶体管频率(fr)为 100MHz。
 
应用场景:
适用于高电压应用场景,如高压电源控制电路。也可用于监控设备中,对信号进行放大或作为开关控制部件。此外,还可应用于彩电视放输出电路,帮助放大视频信号,以驱动显像管相关电路。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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