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IXTP50N20P N沟道功率MOSFET TO220 蓝信伟业
IXTP50N20P N沟道功率MOSFET TO220 蓝信伟业
IXTP50N20P N沟道功率MOSFET TO220 蓝信伟业
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IXTP50N20P特征：
●器件类型：PolarHT™功率 MOSFET，N 沟道增强模式。
●开关特性：非钳位感应开关（UIS）评级，具备一定的抗感性负载冲击能力。
●封装特点：采用 TO - 220 封装（常见类型，还有其他类似 TO - 3P、TO - 263 等衍生封装形式但以 TO - 220 较为常见），低封装电感，这使得器件易于驱动和保护。
 
IXTP50N20P概述：
IXTP50N20P 是一款 N 沟道功率 MOSFET，利用专有的 PolarHT™ DMOS 晶体管设计和流程制造。它具有 200V 的耐压和 50A 的连续漏极电流处理能力，低导通电阻有助于降低导通损耗，非钳位感应开关评级使其能适应一定的感性负载情况，低封装电感特性则让其在驱动和保护方面具有优势，可在较宽温度范围内稳定工作，TO - 220 封装便于安装和散热，适用于多种功率电子应用场景。
 
IXTP50N20P参数：
●电压参数：漏源极电压（Vdss）为 200V；栅源极电压（Vgs）最大值为 ±20V。
●电流参数：25°C 时连续漏极电流（Id）为 50A；漏极脉冲电流（Idm）可达 120A。
●电阻参数：导通电阻（Rds On）最大值为 60 毫欧（@50A，10V）。
●电容参数：输入电容（Ciss）为 2720pF（@25V）。
●电荷参数：栅极电荷（Qg）为 70nC（@10V）。
●功率与温度：最大功率（Pd）为 360W；工作温度范围为 - 55°C ~ 175°C（TJ）。
 
应用场景：
▲功率转换：如开关电源、DC - DC 转换器等，用于实现电能的高效转换和功率控制，可在初级侧或次级侧作为功率开关器件。
▲电机驱动：能够用于驱动直流电机、交流电机等，例如在一些小型电动工具、家电的电机驱动电路中，控制电机的启动、停止、调速等运行状态。
▲电源管理：在各类电子设备的电源管理电路中，实现电压调节、功率分配等功能，帮助设备高效稳定地获取所需电力。
工业控制：在一些工业自动化设备的控制电路中，作为功率开关元件，对电机、电磁阀等执行元件进行控制，实现设备的各种动作和功能。
 
IXTP50N20P特征：
●器件类型：PolarHT™功率 MOSFET，N 沟道增强模式。
●开关特性：非钳位感应开关（UIS）评级，具备一定的抗感性负载冲击能力。
●封装特点：采用 TO - 220 封装（常见类型，还有其他类似 TO - 3P、TO - 263 等衍生封装形式但以 TO - 220 较为常见），低封装电感，这使得器件易于驱动和保护。
 
IXTP50N20P概述：
IXTP50N20P 是一款 N 沟道功率 MOSFET，利用专有的 PolarHT™ DMOS 晶体管设计和流程制造。它具有 200V 的耐压和 50A 的连续漏极电流处理能力，低导通电阻有助于降低导通损耗，非钳位感应开关评级使其能适应一定的感性负载情况，低封装电感特性则让其在驱动和保护方面具有优势，可在较宽温度范围内稳定工作，TO - 220 封装便于安装和散热，适用于多种功率电子应用场景。
 
IXTP50N20P参数：
●电压参数：漏源极电压（Vdss）为 200V；栅源极电压（Vgs）最大值为 ±20V。
●电流参数：25°C 时连续漏极电流（Id）为 50A；漏极脉冲电流（Idm）可达 120A。
●电阻参数：导通电阻（Rds On）最大值为 60 毫欧（@50A，10V）。
●电容参数：输入电容（Ciss）为 2720pF（@25V）。
●电荷参数：栅极电荷（Qg）为 70nC（@10V）。
●功率与温度：最大功率（Pd）为 360W；工作温度范围为 - 55°C ~ 175°C（TJ）。
 
应用场景：
▲功率转换：如开关电源、DC - DC 转换器等，用于实现电能的高效转换和功率控制，可在初级侧或次级侧作为功率开关器件。
▲电机驱动：能够用于驱动直流电机、交流电机等，例如在一些小型电动工具、家电的电机驱动电路中，控制电机的启动、停止、调速等运行状态。
▲电源管理：在各类电子设备的电源管理电路中，实现电压调节、功率分配等功能，帮助设备高效稳定地获取所需电力。
工业控制：在一些工业自动化设备的控制电路中，作为功率开关元件，对电机、电磁阀等执行元件进行控制，实现设备的各种动作和功能。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
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